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3D芯片堆疊技術到底是什么？

現在3D芯片堆疊技術具有如此巨大的魅力，它集成了存儲，邏輯和傳感器，可以減小尺寸并提供性能，這可以說是邁向摩爾定律的一步。所以3D芯片堆疊技術到底是什么？

與將所有模塊都放在平面層上的傳統二維芯片相比，該三維芯片允許多層堆疊，而TSV用于提供多個晶圓的垂直通信。其中，TSV是3D芯片堆疊技術的關鍵。

3D堆疊技術是利用堆疊技術或通過互連和其他微加工技術在芯片或結構的Z軸方向上形成三維集成，信號連接以及晶圓級，芯片級和硅蓋封裝具有不同的功能。針對包裝和可靠性技術的三維堆疊處理技術，該技術用于微系統集成，是在片上系統（SOC）和多芯片模塊（MCM）之后開發的先進的系統級封裝制造技術。

在傳統的SiP封裝系統中，任何芯片堆棧都可以稱為3D，因為在Z軸上功能和信號都有擴展，無論堆棧位于IC內部還是外部。目前，3D芯片技術的類別如下：

1.基于芯片堆疊的3D技術

3D IC的初始形式仍廣泛用于SiP領域。具有相同功能的裸芯片從下到上堆疊以形成3D堆疊，然后通過兩側的接合線進行連接，**以系統級封裝（System-in-Package，SiP）的形式連接。堆疊方法可以是金字塔形，懸臂式，并排堆疊和其他方法。

另一種常見的方法是在SiP基板上安裝倒裝芯片裸芯片，并通過粘接將另一個裸芯片安裝在其頂部，如下圖所示，這種3D解決方案在手機中更為常用。

2.基于有源TSV的3D技術

在這種3D集成技術中，至少一個裸芯片與另一個裸芯片堆疊在一起。下部裸芯片使用TSV技術，上部裸芯片通過TSV與下部裸芯片和SiP基板通信 。

以上技術涉及在芯片處理完成之后堆疊以形成3D。實際上，它不能被稱為真正的3D IC技術。這些方法基本上是在封裝階段進行的，我們可以稱其為3D集成，3D封裝或3D SiP技術。

3.基于無源TSV的3D技術

中介層硅襯底放置在SiP襯底和裸芯片之間。中介層具有硅通孔（TSV），并且硅襯底上表面和下表面上的金屬層通過TSV連接。有人將此技術稱為2.5D，因為作為中介層的硅基板是無源組件，并且TSV硅過孔未在芯片本身上打孔。

4.基于芯片制造的3D技術當前，基于芯片制造的3D技術主要應用于3D NAND FLASH。東芝和三星在3D NAND方面的開拓性工作帶來了兩項主要的3D NAND技術。 3D NAND現在可以達到64層甚至更高的層，其輸出已經超過2D NAND。

芯片技術不斷發展，這也考驗了相應的芯片封裝測試技術，日聯科技不斷探索X射線成像檢測技術，力求在芯片發展的道路上貢獻自己的 一臂之力。

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