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隨著制造工藝的更新換代，半導體的電路線寬越微細化，目前**進的是7納米（納米為10億分之1米），5nm工藝的芯片正式生產也已經提上日程。半導體線路越細微化性能越會提高，耗電量也將降低，但同時生產將會有很大的難度，如果出現細微的缺陷，半導體的電路就無法正常形成。

半導體制造工藝的精細化，相應半導體缺陷檢測難度也越困難。微米級電子半導體最常使用的是X-ray實時成像檢測裝備，從檢測圖像中找到缺陷位置，但由于電子元件越做越小，所以對X-ray檢測設備的分辨率和放大倍率要求很高。目前精度**的是半導體CT檢測設備，它與X-ray設備檢測原理相同，但CT設備的檢測精度會更高，并且它的檢測圖像是三維的，通過對被測物體進行360度旋轉獲取成百上千張二維數字成像投影并通過特定的算法將其重建為三維體積圖像，用戶可以對三維體積進行任意角度的觀察和切片。

X射線檢測裝備主要是檢測半導體接線處的焊接問題，焊接容易出現虛焊、漏焊等缺陷，一旦形成這些缺陷，半導體就容易出現短路等問題，為了半導體元件的正常使用，在焊接完成后需要進行缺陷檢測。隨著半導體生產技術的發展，X射線檢測裝備也在不斷研發升級，致力于為電子制造商提供優質的檢測裝備。

納米級芯片檢測目前X射線檢測裝備還無法達到檢測要求，但為了適應科技的發展，各類缺陷檢測手段一定會應運而生，用來更好的服務產品和企業。

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